실험9 결과 보고서 MOSFET 소스 공통 증폭기 분석 – 핵심 데이터 & 결과 해석 (첨부파일 다운로드 가능)

Ⅰ. 실험 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)특성을 실험적으로 결정한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정한다.

Ⅱ. 실험 결과 및 분석
드레인 특성(게이트 제어) 실험은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 변화시키면서 드레인 전류 를 측정한다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, 특성곡선이 어떻게 되는지 알아보는 실험이 다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 특성곡선 그래프이다.

실험한 결과를 아래의 표로 정리하고, 이를 이용하여 특성곡선을 그려보았다.

VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
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Ⅰ. 실험 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)특성을 실험적으로 결정한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정한다.

Ⅱ. 실험 결과 및 분석
드레인 특성(게이트 제어) 실험은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 변화시키면서 드레인 전류 를 측정한다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, 특성곡선이 어떻게 되는지 알아보는 실험이 다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 특성곡선 그래프이다.

실험한 결과를 아래의 표로 정리하고, 이를 이용하여 특성곡선을 그려보았다.

VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
13
15
VGS, V